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3月21日，sammobile3報道，三星企業(yè)開發(fā)了第三代10納米8gb ddr4 dram。 這是業(yè)界第一個產(chǎn)品。 新的10nmDDR4是業(yè)界較小的內(nèi)存解決方案節(jié)點。 與以前的1y-nm版本相比，制造效率提高了20%以上，以超高性能和電力效率推進(jìn)了dram處理方式的局限性。 另外，第3代ddr4產(chǎn)品沒有通過極端的紫外線( euv )解決。

三星預(yù)計，10納米ddr5將為ddr5、lpddr5、gddr6等新一代dram接口的上市鋪平道路。

三星dram產(chǎn)品和技術(shù)執(zhí)行副社長jung-bae lee說。 “我們致力于突破技術(shù)行業(yè)的巨大挑戰(zhàn)，這推動了我們的創(chuàng)新。 我們很高興再次為新一代dram的穩(wěn)定生產(chǎn)奠定了基礎(chǔ)，確保了高性能和高能效。 (實習(xí)編譯(宋秋宇審閱)李宗澤( ) ) ( ) ) ) ) ) ) ) )